固態一哥又發現全新半導體材料:內存、閃存迎來革命

快科技 2020-07-07 08:36:32

三星電子宣布,三星先進技術研究院(SAIT)聯合蔚山國家科學技術院(UNIST)、英國劍橋大學,發現了一種全新的半導體材料“無定形氮化硼”(amorphous boron nitride),簡稱a-BN,有望推動下一代半導體芯片的加速發展。

近些年,三星SAIT圍繞只有一層原子厚度的2D材料展開了集中攻關,尤其是圍繞石墨烯取得了多項突破,包括石墨烯勢壘三極管、新的石墨烯晶體管、大面積單晶體晶圓級石墨烯制造新法等等,并在加速它們的商業化。

三星發現全新半導體材料:內存、閃存迎來革命

無定形氮化硼擁有無固定形狀的分子結構,內部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯,后者也有硼原子、氮原子,不過是六邊形結構,無定形氮化硼則與之截然不同。

三星表示,無定形氮化硼的介電常數非常之低,只有區區1.78,同時又有很強的電氣和力學屬性,作為一種互連隔絕材料可以大大減少電子干擾,而且只需400℃的超低溫度,就能成長到晶圓級別尺寸。

三星認為,無定形氮化硼有望廣泛應用于DRAM內存、NAND閃存的制造,特別適合下一代大規模服務器存儲解決方案。

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